- MOS insulated gate transistor
- 绝缘栅金属氧化物半导体晶体管
English-Chinese electricity dictionary (电气专业词典). 2013.
MOS insulated gate transistor
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Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
insulated-gate MOS transistor — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
Transistor — Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique actif utilisé : Comme interrupteur dans les circuits logiques ; Comme amplificateur de signal ; Pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que… … Wikipédia en Français
MOS-Transistor mit isoliertem Gate — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor MOS à effet de champ à grille isolée — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor IGBT — Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E). El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor … Wikipedia Español
Transistor de efecto campo — P channel N channel Símbolos esquemáticos para los JFETs canal n y canal p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). El transistor de efecto campo (Field Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores… … Wikipedia Español
Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
Isolierschicht-MOS-Transistor — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistors — Transistor Le transistor est le composant électronique actif fondamental en électronique utilisé principalement comme interrupteur commandé et pour l amplification, mais aussi pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses … Wikipédia en Français
